رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSD214SN L6327
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSD214SN L6327-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
المخزون:
12829220
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSD214SN L6327 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 3.7µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
143 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT363-PO
العبوة / العلبة
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSD214SN L6327INDKR-DG
BSD214SNL6327INDKR
BSD214SN L6327-DG
BSD214SNL6327
BSD214SNL6327HTSA1
BSD214SNL6327INCT
BSD214SN L6327INTR-DG
BSD214SN L6327INDKR
SP000440882
BSD214SN L6327INCT-DG
BSD214SN L6327INTR
BSD214SN L6327INCT
BSD214SNL6327INTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSD214SNH6327XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5980
DiGi رقم الجزء
BSD214SNH6327XTSA1-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK9Y12-80E,115
MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8
BUK9215-55A,118
MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
BUK9J0R9-40HX
BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS
